igbt模块怎么检测
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是通过BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效管)构成复合全控型工作电压推动式输出功率半导体元器件，兼具MOSFET高的输入电阻和GTR的高通断压力降两个方面优势。那样igbt模块怎么检测呢？
1判断正负极。首先把万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其他两方面阻值为无穷，替换表笔后该极与其他两方面的阻值仍然是无穷，则判断此极其栅压(G)其他两方面再换万用表精确测量，若测出阻值为无穷，替换表笔后精确测量阻值比较小。在精确测量阻值比较小的一次中，则判断红表笔接的为集电结(C);黑表笔接的为发射极(E)。
2判断好坏。将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电结(C)，红表笔接IGBT的发射极(E)，这时万用表的表针在零位。用手与此同时碰触一下栅压(G)和集电结(C)，这时候IGBT被开启通断，万用表的表针摆向阻值比较小的方位，并且能够占住标示在某一部位。然后用手指头与此同时碰触一下栅压(G)和发射极(E)，这时候IGBT被阻隔，万用表的表针回零。这时就可以判断IGBT是好一点的。
3检验常见问题。一切指南针万用表皆适合于检验IGBT。留意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡下列各档万用表内部结构电池电压过低，检验好坏时不要使IGBT通断，而难以判断IGBT的好坏。这种方法同样可以用以检验输出功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
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